CNRS engineer (IE HC)
Après des études à l’université d’Orsay, j’ai obtenu un DUT mesures physique en Matériaux et j’ai intégré le CNRS au L2M (Laboratoire de microstructures et de microélectroniques) à Bagneux. Unité propre de recherche couplée aux laboratoires de recherche de France Telecom en 1992 en qualité d’assistant ingénieur au sein du groupe nanoélectronique. J’ai alors réalisé des nanostructures et soutenu une activité émergente de caractérisation champ proche sur un système commercial. Cette activité s’est développée avec l’objectif de mesures spectroscopiques sous ultra vide et basse température. Entre 2001 et 2018, j’ai rejoint le LPN (laboratoire de photonique et de nanostructures) situé à Marcoussis et couplé au III/V Lab. En 2007, suite au développement d’une technique originale de nano lithographie, je suis devenu ingénieur d’Etudes en sciences des matériaux et caractérisation en microscopie à champ proche. Puis, en 2009 j’ai évolué, suite à une contribution essentielle à la réalisation d’une première démonstration de mesures polarisées en spin (SP-STM) par la réalisation de pointes magnétiques et leurs caractérisations en TEM par l’équipe analyse structurale du LPN ainsi que ma contribution au montage d’un projet pour un nouvel instrument dédié à cette technique unique. Enfin en 2018, j’ai participé à la création du C2N (centre de nanosciences et de nanotechnologies). Au sein de PANAM du département Matériaux, je suis, responsable des analyses de surface par AFM et développements expérimentaux en champ proche pour l’ensemble du C2N avec un parc de 4 AFM (microscopes à force atomique). Je soutiens également une activité de recherche de microscopie et spectroscopie tunnel (STM/STS) pour l’exploration des propriétés électroniques et structurales de matériaux à l’échelle atomique. Ces deux équipements opèrent sous ultra vide et basse température dont l’un dispose d’un champ magnétique 3 axes.
Les activités portent principalement sur des nanostructures à base de semi-conducteurs III-V, de Si/Ge, de nouveaux matériaux 2D, d'oxydes fonctionnels et de métaux.
Valeria Sheina , Guillaume Lang , Vasily Stolyarov , Vyacheslav Marchenkov , Sergey Naumov , et al
Hydrogenic spin-valley states of the bromine donor in 2H-MoTe2
Communications Physics, 2023, 6 (1), pp.135.
Atomic-scale visualization of the p − d hybridization in III-V semiconductor surfaces doped with transition metal impurities
Physical Review B, 2022, 105 (23),
Selective growth of graphene films on Gallium-Focused Ion Beam irradiated domains
65th International Conference on Electron Ion and Photon Beam Technology and Nanofabrication (EIPBN 2022), May 2022, La Nouvelle Orléans.
A Rapid, Reliable and Less-destructive On-chip Mass Measurement for 3D Composite Material Testing Microstructures
33rd International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS 2020), May 2020, Edimbourg.
F. Hamouda, E. Herth, , F. Bayle, M. P. Plante, A. Martin
Electrical and optical properties of sputtered ultra-thin indium tin oxide films using xenon/argon gas
Materials Science: Materials in Electronics, 2019, 30, pp 8508–8514.
Real Space Observation of Electronic Coupling between Self-Assembled Quantum Dots
Nano Letters, 2019, 19 (6), pp.3699-3706.
Superconducting parity effect across the Anderson limit
Nature Communications, 2017, 8 (1), pp.14549.
Tunable quasiparticle band gap in few-layer GaSe/graphene van der Waals heterostructures
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2017, 96 (3), pp.035407.
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