Centre de Nanosciences
et de Nanotechnologies

  • CNRS
  • UPSaclay
  • UParis

PANAM Platform

Diffraction de rayons X multi-techniques (DRX)

 

 

Nous disposons des équipements de diffraction les plus récents permettant de réaliser plusieurs types d’expériences de diffraction et de réflectométrie. Ces études permettent d’identifier les structures cristallines, les compositions des alliages, les orientations relatives de différentes structures empilées, de façon non destructive, aussi bien sur des films minces que sur des objets nanométriques comme des fils ou des boîtes quantiques.

 

Diffractomètre multi-configuration à anode tournante « Smartlab » RIGAKU

Diffraction des poudres, texture, réflectométrie, diffraction haute résolution et diffraction des plans perpendiculaires à la surface en incidence rasante.

 

  • source à anode tournante 9kW
  • miroir focalisant
  • monochromateur avant Ge(220)x2, Ge(400)x2, Ge(220)x4 et arrière « triple axis » Ge(220)x2
  • lentille polycapillaire CBO-f
  • collimateurs incidents à lames parallèles 0,15°, 0,5° et 5°
  • collimateurs de réception à lames parallèles de réception 0,114°, 0,5° et 5°
  • détecteur ponctuel à scintillation
  • détecteur 2D Hypix 3000
  • platine chauffante AntonPaar DHS1100

2 diffractomètres multi-configuration à tube scellé « XPert Pro MRD » PANalytical

 

  • tube à anode fixe en Cu
  • miroir focalisant
  • monochromateur avant Ge(220)x4 et arrière « triple axis » Ge(220)x2
  • lentille polycapillaire
  • collimateurs de réception 0,18°
  • détecteur ponctuel à He
  • détecteur 1D Pixcel

   Illustrations :

 

Figure de pôle GaN 10-10 permettant de déterminer la relation d’orientation cristallographique de nanofils de GaN épitaxiés sur susbtrat de Si (001) – étude C2N

Cartographie de l’espace réciproque autour des diffractions 004 et 115 d’une structure GaMnAs/InGaAs/GaAs permettant de quantifier les contraintes et compositions des alliages. La couche de GaMnAs est contrainte sur la couche d’InGaAs relaxée plastiquement sur le substrat de GaAs. La déformation en tension de la couche de GaMnAs permet d’avoir une aimantation perpendiculaire à la surface.

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