Microscopie électronique en transmission (MET)
Cet équipement permet notamment : l’analyse fine de la qualité des interfaces, la détermination locale de la structure, de l’orientation et de la composition chimique des échantillons, l’étude des différents modes de relaxation élastique et plastique, avec une résolution spatiale subnanométrique, et la résolution de structure. Les techniques utilisées sont l’imagerie conventionnelle, l'étude quantitative du contraste TEM 2 ondes et STEM-HAADF, l’image à haute résolution, la microanalyse X, la diffraction en faisceau convergent et analyses 4DSTEM.
Le C2N héberge et coordonne la plateforme NANOTEM constituée d’un TEM/STEM FEI ThermoFisherTHEMIS 80-200 keV avec correcteur d’aberration Cs sur condenseur et détecteur EDX à 4 cadrans ainsi que d’un usineur ionique à faisceau d’ions focalisés FEI ThermoFisher Dual-beam SCIOS pour la réalisation de lames minces pour la MET.
Le C2N est également acteur du NANOMAX project de l'EQUIPEX TEMPOS, dédié à l'étude de la croissancede nanocristaux en temps réel avec la résolution atomique dans un microscope environnemental (FEI Titan ETEM 300kV installé à l'Ecole Polytechnique).
Image diffraction électronique en faisceau convergent à 5 ondes permettant de déterminer la polarité de la structure cristalline GaAs – étude C2N
Image STEM-HAADF d’une couche de GaSb déposée par MBE sur un substrat de Si. Mise en évidence des dislocations parfaites de type coin à l’interface pour accommoder la différence de paramètre de maille. Démonstration de la croissance monocristalline directe III-V/Si sans « threading dislocations » - collaboration C2N-IES
Image STEM-HAADF et cartographies chimiques élementaires par EDX de l’interface (Pb,Zr)TiO3/SrTiO3. Démonstration de l’épitaxie obtenue par recuit après dépôt sol-gel – collaboration C2N-INL
Image STEM-HAADF de dislocations partielles (rouge) et macles (bleu) dans une couche d’InP déposée par MBE sur un substrat de SrTiO3, démonstration de croissance monocristalline directe III-V/oxyde, détermination des relations d’épitaxie et caractérisation de l’interface – collaboration C2N-INL
Préparation d'une lame MET par FIB
FIB lift-out : animation film - 15,7 Mio
