Nanofils GaAlAs/GaAs :
Structure Cœur-coquille de nanofils GaAs/GaAlAs enterrés dans une couche épitaxiée par MBE, analysée par AFM en section transverse. Nous mesurons l’épaisseur de la coquille AlGaAs.
Couche de Graphène épitaxié :
Les couches sont formées par la sublimation d’un substrat de SiC. L’objectif est de progresser vers le contrôle de croissance de larges terrasses de graphène (1.0µm).
Contrôle de dépôt métallique :
Morphologie de surface, rugosité et épaisseur d’une couche mince métallique par AFM. Rq= 2nm (image 3x3 µm). Optimisation du procédé de dépôt métallique pour couche très mince de film supraconducteur NbN (10nm) deposée par pulvérisation.
Structure de domaines magnétiques de MnAs/GaAs(001):
Les électrodes MnAs sur GaAs(001) se comportent comme des barreaux magnétiques classiques avec une forte anisotropie uniaxiale dans le plan. Cela favorise une configuration de domaines magnétiques ouverts qui a été observée par mesures MFM en section transverse de couche clivée MnAs/GaAs(001).
Intégration III/V sur Si :
Mesures I/V par AFM de nanocristaux de GaAs sur Si et nanofils enterrés (G. Hallais, Dpt Matériaux).
Nanomanipulation d'empilement de matériaux 2D :
Avec la pointe d’un AFM et mesure de transport in situ (R. Ribeiro, Nanoelectronic Dpt).
